-
-
-
单壁碳纳米管透明导电薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 单壁碳纳米管透明导电薄膜 英文名称：Single-wall carbon nanotube transparent conductive film 性质 参数 透光率：>95%（550nm） 透光率可定制范围：50-55%、55-60%、60-65%、65-70%、70-75%、75-80%、80-85%、85-90%、90-95% 纯度:>99% 应用 柔性LED、太阳能电池、光电探测器等。 其他信息 该样品很容易被灰尘污染，收到产品请尽快测试
-
单层二硒化钼纳米片分散液 浓度1 mg/mL
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：单层二硒化钼纳米片分散液 浓度1 mg/mL 英文名称：Single Layer MoSe2 Dispersion 1 mg/mL 性质 片径：0.1-3 μm 单层率：≥90% 厚度：~1 nm 浓度：1 mg/mL 溶剂：水 稳定剂：LiOH 应用 催化、能量存储、复合材料、太阳能电池、光电子器件等领域。 其他信息 储存条件：4℃冷藏密封保存，最长保存期限为开封前1个月，开封后建议15天内用完。每次开封后用Ar/N2气鼓泡保存。建议有条件可以在手套箱开封取用后在手套箱密封。 该产品TEM, SEM和AFM制样方法较为特殊，请邮件索要制样指导
-
单层二硒化钨纳米片分散液 浓度1 mg/mL
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：单层二硒化钨纳米片分散液 浓度1 mg/mL 英文名称：Single Layer WSe2 Dispersion 1 mg/mL 性质 片径：0.1-3 μm 单层率：≥90% 厚度：~1 nm 浓度：1 mg/mL 溶剂：水 稳定剂：LiOH 应用 催化、能量存储、复合材料、太阳能电池、光电子器件等领域。 其他信息 储存条件：4℃冷藏密封，最长保存期限为开封前1个月，开封后建议15天内用完。每次开封后用Ar/N2气鼓泡保存。建议有条件可以在手套箱开封取用后在手套箱密封。 该产品TEM, SEM和AFM制样方法较为特殊，请邮件索要制样指导
-
碘化铬单晶
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：碘化铬单晶 英文名称：CrI3 Single crystal 性质 居里温度：61 K 纯度：99.99% 晶体结构：菱面体（R3,BiI3） 单斜晶（C2/m,AlCl3） 应用 CrI3单晶为铁磁性材料，具有层依赖的磁性，常用于研究材料中不同寻常的原子级特性进与材料的磁性，如电调控的磁电子学、范德华力引起的界面效应。 其他信息 储存条件：常温干燥避光，惰性气体下保存，开封前保存6个月。 CrI3极易与空气、水等媒介发生反应，为最大程度保持其原有特性，请尽量在使用过程中少接触空气与水。建议全程惰性气体保护下操作或真空环境下操作。
-
-
-
-
-
-
-
单层氮化硼薄膜（HBN）铜基
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：单层氮化硼薄膜（HBN） 英文名称：Monolayer boron nitride film（HBN） 性质 覆盖率：100% 基底：Cu 晶粒尺寸：>4 um 单层率：大约80% 应用 HBN薄膜可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层，以及电子的隧道阻挡层，使其具有广泛的应用，例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。 其他信息 常温干燥避光密封保存，保存期限半年。
-
单层氮化硼薄膜（HBN）SiO2/Si基底
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：单层氮化硼薄膜（HBN） 英文名称：Monolayer boron nitride film（HBN） 性质 尺寸描述：参数描述中尺寸为连续氮化硼薄膜尺寸，基底尺寸偏大 基底：SiO2/Si 晶粒尺寸：>4 um 氧化层：300 nm 硅：500 um 应用 HBN薄膜可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层，以及电子的隧道阻挡层，使其具有广泛的应用，例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。 其他信息 常温干燥避光密封保存，保存期限半年。
-
多层氮化硼薄膜（HBN）镍基 5-15层
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：多层氮化硼薄膜（HBN）镍基 5-15层 英文名称：Multilayer boron nitride film（HBN） on Ni 性质 覆盖率：100% 基底：镍基 层数：5-15层 应用 HBN薄膜可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层，以及电子的隧道阻挡层，使其具有广泛的应用，例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。 其他信息 常温干燥避光密封保存，保存期限半年。
咨询热线
18133906270
德尔塔官方微信