磁性掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3的理论研究(图文详解)
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磁性掺杂拓扑绝缘体Bi2Se3的理论研究(图文详解)
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我们进行系统地研究了Bi2Se3中的3d过渡金属磁性原子(V, Cr, Mn 和Fe)掺杂,包括掺杂体系的材料稳定性、电子结构特性以及磁学性质等。
(a) 2×2×1 Bi2Se3超胞原子掺杂结构示意图。
(b) V, Cr, Mn 和Fe掺杂Bi2Se3体系较定价态的形成能随制备环境(硒化学势)的变化。为比较,虚线给出了Bi2Se3中较可能存在的本征缺陷(硒空位VSe1、BiSe1和SeBi反位)的数值。
V, Cr, Mn 和Fe掺杂Bi2Se3时不同稳定价态的形成能随体系费米能级的变化。
(a)和(b)分别表示富铋生长和富硒生长两种不同的制备条件。
2×2×1 Bi2Se3超胞(a)考虑自旋轨道耦合下的能带图及其(b)布里渊区和高对称点。(c)-(j) Cr和Fe掺杂Bi2Se3体系不同条件下的能带结构。
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