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FeS2-C复合纳米微球修饰的1T/2H杂化二硫化钼纳米花复合杂化材料示意图
发布时间:2021-04-29     作者:zzj   分享到:

Fe3O4@C为过渡产物, 通过一种非常简便的一步硫化法合成了一种结构新颖的西瓜状FeS2@C复合纳米微球修饰的1T/2H杂化二硫化钼纳米花复合杂化材料。

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1. FeS2@C@MoS2复合杂化材料的合成过程

对合成的FeS2@C@MoS2的微观结构与形貌、化学组分、比电容等性能进行了系统表征及研究。所合成的FeS2@C@MoS2-200复合杂化材料表现出较高的比电容量、良好的倍率性以及循环稳定性等,其优异的储能性能可以归因于其独特的微观结构。首先,引入1T/2H杂化MoS2骨架可以有效地提高材料的电导率,使储能过程中的离子与电荷等可以快速移动。其次,合适的碳、FeS2MoS2三种组分的比例可以增强FeS2MoS2二者之间的协同反应,加速离子交换速度,达到较佳匹配效果。第三,相邻的二维 MoS2纳米片之间形成的空隙与孔可以充当离子库,以促进离子在活性物质和电解质界面附近的传输,并在充电和放电期间缓冲体积膨胀。第四,复合杂化材料中的介孔结构可以提供更大的有效比表面积和更多的离子通道,使电解液与活性电极更充分地接触,并促进离子快速转移。

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2. FeS2@C@MoS2-200复合杂化材料的储能机理示意图

由于适当比例的MoS2骨架、碳层和FeS2的结构调配以及复合杂化材料中存在的介孔结构的协同作用, FeS2@C@MoS2-200复合杂化材料具有很高的比电容(在2 A·g-1时为1321.4 F·g-1)。在高电流密度下具有良好的循环稳定性 (1000次循环充放电后,在6 A·g-1电流密度下的比电容保持率为81.2)。与之前报道的类似电极材料相比,所合成的FeS2@C@MoS2复合杂化材料在高电流密度下能展现非常高的比电容值与优良的循环稳定性,表明其可以在超级电容器器件的制作中作为一种非常具有潜力的材料。

 

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以上内容来自齐岳小编zzj 2021.4.29


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