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研究者在多种纳米带材料中成功观测到边缘手性从之字形向扶手椅的转变导致金属-半导体转换，尤其在蜂巢晶格结构中。有鉴于此，哈尔滨工业大学张倩、林熹，密苏里大学David J. Singh等报道了块体结构Zintl半导体Eu2ZnSb2，其中Zn空穴结构起到关键性作用，提出5种Eu2ZnSb2结构模型材料帮助透射电子显微镜成像。
之字形Zn空穴规则结构表现出显著的金属性，扶手椅Zn空穴结构表现为半导体结构和间接结构带隙，随着相邻ZnSb2链的相对居里增加导致间接带隙的单调递增。这种拓扑电子结构的变化基于Zintl化合物中的有序阳离子导致可调控和能够转变的拓扑学行为，其中阳离子通常是能够移动的。
本文要点：
（1）
因此，通过温度、微量合金化以及其他方法调控有序态。作者通过对这种热电作用的电子结构进行解释，指出了Zintl化合物中以往没有清晰理解的拓扑电子跃迁。
参考文献
Honghao Yao et al. Vacancy ordering induced topological electronic transition in bulk Eu2ZnSb2, Sci. Adv. 2021, 7(6), eabd6162
DOI: 10.1126/sciadv.abd6162
https://advances.sciencemag.org/content/7/6/eabd6162