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碳纳米管金属复合薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 碳纳米管金属复合薄膜 英文名称：Carbon Nanotube Mental Composite Film 性质 形态： 参数 导电性：>3x105 S/m 厚度：15-20 μm 金属含量：>10% 强度：50-100 MPa 柔韧性：可反复弯折 应用 NA
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高导电碳纳米管薄膜胶带
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 高导电碳纳米管薄膜胶带 英文名称：Conductive Carbon Nanatube Tape 性质 形态：薄膜 参数 导电性：3-8x104 S/m 厚度：10-30 μm 金属含量：
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碳纳米管金属复合薄膜带
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 碳纳米管金属复合薄膜带 英文名称：Carbon Nanotube Mental Composite Tape 性质 形态：薄膜 参数 导电性：>3x105 S/m 厚度：15-20 μm 金属含量：>10% 强度：50-100 MPa 柔韧性：可反复弯折 尺寸：宽度1cm，长度可定义，最小订购长度10 cm。 应用 NA
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单壁/双壁碳纳米管垂直阵列
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 单壁/双壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of SWCNTs or DWNTs 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：10 – 400µm 壁数：1-2 碳管直径：1 – 4 nm 纯度：98% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103S/m 基底：单晶硅/多晶硅/石英 应用 NA
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单壁/双壁碳纳米管垂直阵列
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 单壁/双壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of SWCNTs or DWNTs 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：10 – 400µm 壁数：1-2 碳管直径：1 – 4nm 纯度：98% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：单晶硅/多晶硅/石英 应用 NA
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多壁碳纳米管垂直阵列
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 多壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of MWCNTs 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：50 – 1000µm 壁数：3-7 碳管直径：3- 10nm 纯度：98% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：单晶硅/石英 备注：高度随机，10片起订 应用 NA
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多壁碳纳米管垂直阵列 单晶硅基底
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 多壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of MWCNTs 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：50 – 1000µm 壁数：3-7 碳管直径：3- 10nm 纯度：98% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：单晶硅 备注：高度随机 应用 NA
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多壁碳纳米管垂直阵列
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 多壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of MWCNTs 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：50 – 1000µm 壁数：>10 直径：>50nm 纯度：95% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：单晶硅/石英/铜/镍/不锈钢 应用 NA
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多壁碳纳米管垂直阵列
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 多壁碳纳米管垂直阵列 英文名称：Aligned arrays of MWCNTs 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：50 – 1000µm 壁数：>10 碳管直径：>50nm 纯度：95% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：单晶硅/石英/铜/镍/不锈钢 应用 NA
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转移碳纳米管垂直阵列 金属基底
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 转移碳纳米管垂直阵列 英文名称：Transfer Aligned arrays of carbon nanotube 性质 形态：黑色块状物 参数 高度：300 – 1000µm 纯度：>95% 密度：≤0.3 g/cm3 比表面积：～20 m2/g 电导率：103 S/m 基底：金属 备注：金属基底默认铜片，其他基底需要客户自己提供，基底具体信息需与我司沟通确认 高度随机，10片起订 应用 NA
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