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Supermarket 铜基石墨烯膜C13 Graphene
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：Supermarket 铜基石墨烯膜13C Graphene 英文名称：Isotopic 13C Graphene on Cu Foil 性质 Size：2 cm x 2 cm Cu Foil Thickness：20 microns Cu Foil Coverage：>97% Grain Size：>10 microns 应用 1.Bio Medical Research 2.Thermoelectric devices 3.Isotope Research 4.Intrinsic Thermal Conductivity Research 5.Multifunctional Materials Based on Graphene 6.Further Nuclear Magnetic Resonance Studies 其他信息 原链接：https://www.graphene-supermarket.com/collections/cvd-graphene/products/large-grain-monolayer-graphene-on-copper-foil
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Graphene Supermarket 碳化硅基底单层石墨烯 (外延生长)
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：Graphene Supermarket 碳化硅基底单层石墨烯 (外延生长) 英文名称：Graphene Supermarket Monolayer Graphene on SiC substrate 性质 石墨烯参数 尺寸：8mm x 8mm 电阻：350 Ω-sq 单层覆盖率：92.25 ± 5% 石墨烯覆盖率：99.5% SIC基底性质 类型：4H-SiC 基底方向：（0001）±0.25 deg 基底厚度：350 ± 50μm 基底电阻：4.4x10^9 Ω-m 应用 NA
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层二硒化钨WSe2连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层WSe2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage Monolayer WSe2 on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：Hexagonal 制备方法：LPCVD 如定制其他基底请联系销售人员 应用 NA 其他信息 原链接：https://www.2dsemiconductors.com/full-area-coverage-monolayer-wse2-on-c-cut-sapphire/
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层WSe2（三角片)
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层WSe2（三角片） 英文名称：Monolayer WSe2 Triangles on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：Hexagonal 制备方法：LPCVD 如定制其他基底请联系销售人员 应用 NA 其他信息 原链接：https://www.2dsemiconductors.com/monolayer-wse2-triangles-on-c-cut-sapphire/
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层二硫化钨WS2连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层WS2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage Monolayer WS2 on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：Hexagonal 制备方法：LPCVD 应用 NA 其他信息 原链接：https://www.2dsemiconductors.com/full-area-coverage-monolayer-ws2-on-c-cut-sapphire/
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层二硫化铼ReS2连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层ReS2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage Monolayer ReS2 on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：1T 制备方法：APCVD 应用 NA 其他信息 https://www.2dsemiconductors.com/full-area-coverage-monolayer-res2-on-c-cut-sapphire/
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层二硒化铼ReSe2连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层ReSe2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage Monolayer ReSe2 on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：1T 制备方法：APCVD 如定制其他基底请联系销售人员 应用 NA
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层二硫化锡SnS2连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层SnS2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage Monolayer SnS2 on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：Hexagonal 制备方法：LPCVD 应用 NA 其他信息 原链接：https://www.2dsemiconductors.com/full-area-coverage-monolayer-sns2-on-c-cut-sapphire/
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层二硒化锡SnSe2连续薄
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底单层SnSe2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage Monolayer SnSe2 on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：Hexagonal 制备方法：LPCVD 应用 NA 其他信息 原链接：https://www.2dsemiconductors.com/full-area-coverage-monolayer-snse2-on-c-cut-sapphire/
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2D Semiconductors CVD蓝宝石基底二硒化铂PtSe2连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：2D Semiconductors CVD蓝宝石基底PtSe2连续薄膜 英文名称：Full Area Coverage PtSe2 layers on c-cut Sapphire 性质 尺寸：1cm x 1cm 基底类型：（0001）c-cut Sapphire 晶体结构：Hexagonal 制备方法：LPCVD 如定制其他基底请联系销售人员 应用 NA 其他信息 原链接：https://www.2dsemiconductors.com/full-area-coverage-ptse2-layers-on-c-cut-sapphire/
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ACS Material 一步转移氮化硼薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material 一步转移氮化硼薄膜 英文名称：ACS Material Trivial Transfer Hexagonal Boron Nitride (h-BN) 性质 制备方法：CVD 晶粒尺寸：>4 um 备注：此款产品属于单层氮化硼薄膜，单层率没有具体测量数据，通过电镜图片观察大约在95%以上。 应用 HBN薄膜可被用作金属绝缘金属结构的超薄间隔层，以及电子的隧道阻挡层，使其具有广泛的应用，例如纳米电容器、场效应隧道晶体管。作为单分子膜还可被用作介质或基片。 其他信息 参考链接：https://www.acsmaterial.com/trivial-transfer-hexagonal-boron-nitride-hbn.html 请于4℃真空密封保存 ，开封前最长保质期为1个月。
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Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S10
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S10 英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chip S10 性质 芯片尺寸：10mm x10mm 芯片厚度 ：675μm 每个芯片的GFET数量：36 栅氧化层厚度：90nm 栅极氧化物材料：SiO2 基体电阻率 ：1-10 Ω.cm Dirac点：＜50 V 良率 ：＞75% 石墨烯场效应迁移率：＞1000cm2/V. 应用 石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。 其他信息 原链接：https://www.graphenea.com/collections/buy-gfet-models-for-sensing-applications/products/gfet-s10-for-sensing-applications-10-mm-x-10-mm 常温干燥避光密封保存。最长保存期限一年。
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Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20 英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chipS20 性质 芯片尺寸：10mm x10mm 芯片厚度 ：675μm 每个芯片的GFET数量：36 栅氧化层厚度：90nm 栅极氧化物材料：SiO2 基体电阻率 ：1-10 Ω.cm Dirac点：10-40 V 良率 ：＞75% 石墨烯场效应迁移率：＞1000cm2/V.s 残余电荷载体密度 ：＜2x1012 cm-2 应用 石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。 其他信息 常温干燥避光密封保存。最长保存期限一年。
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Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: Graphenea石墨烯场效应晶体管芯片S20 英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chipS20 性质 芯片尺寸：10mm x10mm 芯片厚度 ：675μm 每个芯片的GFET数量：12 栅氧化层厚度：90nm 栅极氧化物材料：SiO2 基体电阻率 ：1-10 Ω.cm 封装形式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4 Dirac点（背栅）：＜50 V 良率 ：＞75% 石墨烯场效应迁移率：＞1000cm2/V.s 应用 石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。 其他信息 原链接：https://www.graphenea.com/collections/buy-gfet-models-for-sensing-applications/products/gfet-s20-for-sensing-applications 常温干燥避光密封保存。最长保存期限一年。
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ACS Material CVD蓝宝石基底石墨烯膜 1cmx1cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material CVD蓝宝石基底石墨烯膜 1cmx1cm 英文名称：CVD Graphene on sapphire substrate 1cmx1cm 性质 面积：1cmx1cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA 保存条件：密封避光保存于温度低于35℃的干燥环境中
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