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氧化硅基底单晶双层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶双层石墨烯 英文名称：Bilayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：2cmx2cm SiO2厚度：90 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA
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氧化硅基底单晶单层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶单层石墨烯 英文名称：Monolayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：1cmx1cm SiO2厚度：300 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA
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氧化硅基底单晶单层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶单层石墨烯 英文名称：Monolayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：1.5cmx1.5cm SiO2厚度：300 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA
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氧化硅基底单晶单层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶单层石墨烯 英文名称：Monolayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：2cmx2cm SiO2厚度：300 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA 其他信息
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氧化硅基底单晶双层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶双层石墨烯 英文名称：Bilayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：1cmx1cm SiO2厚度：300 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA
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氧化硅基底单晶双层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶双层石墨烯 英文名称：Bilayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：1.5cmx1.5cm SiO2厚度：300 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA
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氧化硅基底单晶双层石墨烯
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称：氧化硅基底单晶双层石墨烯 英文名称：Bilayer Graphene on SiO2/Si 性质 基底：SiO2/Si 基底尺寸：2×2 cm SiO2厚度：300 nm 样品总面积：>10000 μm2 应用 NA
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机械剥离单晶专用胶带
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离单晶专用胶带 英文名称：Tape for Single Crystal Materials 性质 形态：胶带 参数 宽度：12.5mm 厚度：5mm 应用 胶带品牌为3M，这卷胶带真的是很神奇，不仅仅可以剥离单晶材料，而且透明度很高，耐水，并且可以用记号笔在胶带上书写记号，方便您的研究，它还可以粘贴到所有样品带上以及其他的玻璃基底上。
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机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底单层二硫化钼 英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底：二氧化硅/硅 氧化层：300nm 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个MOS2面积:≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离蓝宝石基底单层二硫化钼
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼 英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 基底：蓝宝石 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个MOS2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离氧化铝基底单层二硫化钼
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离氧化铝基底单层二硫化钼 英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on Al2O3 性质 形态：薄膜 参数 基底：氧化铝 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个MOS2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底二硫化钨 英文名称：Mechanical exfoliation WS2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底：二氧化硅/硅 氧化层：300nm 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个WS2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钨，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离蓝宝石基底二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离蓝宝石基底二硫化钨 英文名称：Mechanical exfoliation WS2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 基底：蓝宝石 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个WS2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钨，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离氧化铝基底二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离氧化铝基底单层二硫化钨 英文名称：Mechanical exfoliation WS2 on Al2O3 性质 形态：薄膜 参数 基底：氧化铝 基底尺寸：10 mmx10 mm 单个WS2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硫化钨，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钼
作者：德尔塔 日期：2022-09-02
中文名称: 机械剥离氧化硅/硅基底二硒化钼 英文名称：Mechanical exfoliation MoSe2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底：二氧化硅/硅 基底尺寸：10 mmx10 mm 氧化层：300nm 单个MoSe2面积: ≥10 µm2 备注:大于等于1片样品是单层 应用本公司最新推出机械剥离制备的二硒化钼，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
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