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二碲化钨WTe2纳米线材料的制备工艺过程详解
发布时间:2020-07-14     作者:wyf   分享到:

二碲化钨WTe2纳米线材料的制备工艺过程详解

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二碲化钨是具有层状结构的过渡金属硫族化合物,在层内上下碲原子层中间是钨原子层,钨原子和碲原子之间共价键连接,一个钨原子被6个碲原子和两个钨原子包围。

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二碲化钨纳米线材料的制备方法:

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1、二氧化硅/硅衬底裁剪成1cm*3cm的片状,钨粉和碲粉按比例混匀为混合粉,在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钨纳米线的生长;

2、混合粉放置于一个二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面上,并添加氯化钠;另一片二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面倒扣在放置有混合粉的二氧化硅/硅衬底上;

3、将两个二氧化硅/硅衬底移放置在石英试管中在所述的石英管内还设置石英试管,石英试管的封口端与混合气体流动方向相对,石英试管用于放置进行化学气相沉积的衬底;

4、氩气的流量为100sccm;氢气的流量为1040sccm;化学气相沉积的反应温度为600800℃制备出了尺寸较为均一的二碲化钨纳米线。

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该实验制备方法工艺简单,成本低廉,所制备的二碲化钨纳米线质量高。二碲化钨超大磁阻效应,超导电性等物理性质,具有有较高的研究意义与应用价值。

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